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超级结 MOSFET 及低成本 IGBT 方案用于电动汽车充电桩

电动汽车进程在持续推进以配合节能减排的趋势,对充电桩的需求激增。为缩短充电时间和节省空间,需要更高能效、输出功率、功率密度和可靠的电源模块方案。本次研讨会将重点介绍安森美半导体强大阵容中的高压超级结MOSFET、具成本优势的IGBT及二极管方案,关键参数优于竞争对手,有助于实现更高性能、能效和更低损耗,是用于电动汽车充电桩DC-DC、功率因数校正(PFC)等电源模块的极佳选择。

讲师:袁光明
主办方:安森美半导体

直播课程介绍

电动汽车进程在持续推进以配合节能减排的趋势,对充电桩的需求激增。为缩短充电时间和节省空间,需要更高能效、输出功率、功率密度和可靠的电源模块方案。本次研讨会将重点介绍安森美半导体强大阵容中的高压超级结MOSFET、具成本优势的IGBT及二极管方案,关键参数优于竞争对手,有助于实现更高性能、能效和更低损耗,是用于电动汽车充电桩DC-DC、功率因数校正(PFC)等电源模块的极佳选择。

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电动牙刷、旅行收纳袋(6只装)、USB风扇、10元话费、20枚21金币

                    

注:礼品以实物为主!)

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直播课程问答

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  • 网友 舒行科:

    IGBT模块有哪几种?

    2019/07/10 11:36

    专家:回复 舒行科:带驱动的IPM. 不带驱动的PIM. 都有针对不同功率段的产品。
  • 网友 D V R :

    在IGBT的驱动上有什么注意的事项?

    2019/07/10 11:05

    专家:回复 D V R :安全 稳定 快速地 驱动IGBT EV 的应用可以选择ON的 磁耦合 NCD57XXX系列产品
  • 网友 沈希颖:

    请问sjmos是不是采用多层外延工艺流片的?

    2019/07/10 10:34

    专家:回复 沈希颖:yes
  • 网友 大天津:

    请问:安森美半导体的IGBT能够直接代换日系器件吗?据我所知日系的驱动门电压都比欧美系低,如何代换日系器件?谢谢!

    2019/07/10 10:29

    专家:回复 大天津:一般是可以的,特殊应用中 可以请 我们的技术支持工程师 参与进来
  • 网友 沈希颖:

    请问ON的sjmos650V级别的Rdson27毫欧的体二极管Trr是多少呢?请问这个系列器件是采用什么流片工艺呢?

    2019/07/10 10:29

    专家:回复 沈希颖:165nS,
  • 网友 沈希颖:

    请问ON的sjmos650V级别的最小Rdson,是多少呢?体二极管是不是集成的呢?Trr是多少呢?

    2019/07/10 10:26

    专家:回复 沈希颖:27mOhm 集成
  • 网友 奔月:

    全桥LLC拓扑推荐使用哪个型号的超级结MOS?

    2019/07/10 10:25

    专家:回复 奔月:推荐FRFET,以H/HF结尾的
  • 网友 卓然:

    速度快了之后,如何解决EMI的问题?ON的器件在EMI方面有哪些优势?

    2019/07/10 10:10

    专家:回复 卓然:easy drive系列可以很好的改善EMI